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IXKP 13N60C5
1.8
1
50
1.6
1.4
V DS =
T JV = 150°C
5V
5.5 V
6V
7V
6.5 V
0.8
I D = 6.6 A
V GS = 10 V
40
V DS > 2 · R DS(on) max · I D
25 °C
10 V
1.2
1
0.8
0.6
30
0.6
0.4
98 %
typ
20
T J = 150 °C
0.4
0.2
0
0.2
0
10
0
0
5
10
15
20
25
-60
-20
20
60
100
140
180
0
2
4
6
8
10
I D [A]
Fig. 4 Typ. drain-source on-state
resistance characteristics of IGBT
T j [°C]
Fig. 5 Drain-source on-state resistance
V GS [V]
Fig. 6 Typ. transfer characteristics
10
2
10
10
5
9
I D = 6.6 A pulsed
V GS = 0 V
f = 1 MHz
25 °C, 98%
8
10
4
V DS = 120 V
10
1
T J = 150 °C
25 °C
150 °C, 98%
7
6
10
3
Ciss
5
10
0
4
10
2
Coss
3
2
1
10
1
Crss
10
-1
0
10
0
0
0.5
1
1.5
2
0
5
10
15
20
25
0
100
200
300
400
500
V
SD
[V]
Q
gate
[nC]
V
DS
[V]
Fig. 7 Forward characteristic
Fig. 8
Typ. gate charge
Fig. 9 Typ. capacitances
of reverse diode
300
I D = 4.4 A
700
I D = 0.25 mA
10
1
660
200
10
0
0.5
0.2
620
0.1
0.05
D = t p /T
100
580
10
-1
0.02
0.01
single pulse
0
540
10
-2
20
60
100
140
180
-60
-20
20
60
100
140
180
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
T j [°C]
T j [°C]
t p [s]
Fig. 10 Avalanche energy Fig. 11 Drain-source breakdown voltage
Fig. 12 Max. transient thermal
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
impedance
20090209c
4-4
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